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Puce transistor IGBT à grille en tranchée STGD4M65DF2

Name: Puce transistor IGBT à grille en tranchée STGD4M65DF2
Brand: Shenzhen Semilotec Co., Ltd.
SKU: 844644545

Guangdong, ChineShenzhen Semilotec Co., Ltd.

0,072-15,00 $US

100 Pièces

Profil du produit

Personnalisation

Disponible

Type conducteur

Circuit intégré unipolaire

Intégration

ULSI

N° de Modèle.

STGD4M65DF2

Techniques

Circuit intégré en film mince

fabricant

d/c

17+

package

dpak-3

qualité

original neuf

forme

cms

Paquet de Transport

boîte

Origine

Chine

Code SH

8542390000

Capacité de Production

100 000 pièces

Caractéristiques principales

100 % authentique et original : composants authentiques garantis, avec une assurance qualité à 100 %.

Expédition le jour même : les articles en stock peuvent être expédiés le jour même pour répondre aux besoins urgents.

Garantie de 180 jours : garantie complète de 180 jours pour tous les produits.

Service client 24h/24, 7j/7 : assistance disponible en permanence pour résoudre les problèmes et réduire les risques.

IGBT haute tension : tension de claquage collecteur-émetteur de 650 V pour des performances robustes.

Faible perte de puissance : IGBT de série M avec grille en tranchée et technologie field-stop, offrant une faible énergie de commutation.

Boîtier DPAK-3 : boîtier compact à 3 broches pour montage en surface, permettant une intégration efficace.

Profil de l'entreprise

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

Guangdong, Chine

Type d'Entreprise: Société CommercialeAnnée d'Exportation: 2014-10-01 CertifiéPort le plus Proche: Shenzhen PortTemps de réponse moyen: ≤1.43h CertifiéConditions de Paiement: LC, T/T, PayPal CertifiéConditions Commerciales Internationales(Incoterms): FOB, CFR, EXW