Système de gravure ionique réactive Gravure de matériaux à base de silicium semi-conducteur Gravure à température normale Analyse des échecs de gravure RIE

Taille d'échantillon personnalisable : Prend en charge les tailles de 4, 8 et 12 pouces, ainsi que diverses petites tailles, avec des options de personnalisation.

Options de puissance RF flexibles : La puissance du plasma RF varie de 300 W à 1000 W, avec plusieurs configurations optionnelles.

Configuration multi-gaz : Permet l'utilisation simultanée de jusqu'à 9 gaz de processus, avec des options de canaux de gaz personnalisables.

Gravure de matériaux polyvalente : Convient au silicium, aux matériaux III-V, II-VI, aux métaux, aux composés organiques et aux matériaux 2D comme le graphène.

Garantie d'un an : Inclut une garantie de 12 mois, avec remplacement des pièces aux prix de revient après expiration de la garantie.

Certification CE : Le produit répond aux normes de sécurité et de qualité CE pour la fabrication de semi-conducteurs.

Contrôle entièrement automatique : Dispose d'un système de contrôle entièrement automatique à un bouton pour faciliter l'utilisation.