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Précurseur de silicium avancé pour la fabrication de semi-conducteurs - Bdeas C8h22n2si
5,00 $US
200 Pièces
Prix de l'exemple :US$5.00/pièce.Demander un échantillon
Profil du produit
Personnalisation
DisponibleN ° CAS.
27804-64-4Formule
C8h22n2siN° de Modèle.
C8h22n2siEINECS
631-070-6Certification
PORTÉEProtection environementale
OuiApparence
LiquideCouleur
BlancSpécifications
200LMarque Déposée
zydOrigine
ShanghaiCaractéristiques principales
Dépôt ALD à basse température : Convient au dépôt par couches atomiques à basse température de films de silicate de hafnium.
Excellente adaptabilité : Permet une excellente adaptation de la composition des films HfSiOx.
Dépôt de films polyvalent : Utilisé pour le dépôt ALD de films de SiO2, HfO2 ou HfSiOx en utilisant l'ozone.
Réaction hydrolytique rapide : Réagit rapidement avec l'humidité, l'eau et les solvants protiques.
Certifié REACH : Le produit est conforme à la certification REACH et aux normes de protection de l'environnement.
Profil de l'entreprise
Shanghai Zhongyida New Materials Co., LtdShanghai, Chine
CertifiéType d'Entreprise: Société CommercialeAnnée d'Exportation: 2024-07-23Port le plus Proche: ShanghaiTemps de réponse moyen: ≤5.25hConditions de Paiement: LC, T/T, D/PConditions Commerciales Internationales(Incoterms): FOB, EXW, CIF, DDP
À propos de notre Usine & Contexte Commercial
AdresseShanghai, China
Capital Social10,000,000 RMB
Délai MoyenDélai de Livraison en Pleine Saison: 1-3 Mois, Délai de Livraison hors Saison, 1-3 Mois
Notre Capacité de Production & Expertise Technique
Produits PrincipauxGaz semi-conducteur, gaz médical, gaz industriel, précurseurs, gaz spéciaux, gaz rares, gaz xénon, gaz hélium, N2o
Notre expérience dans le Secteur & Record Commercial Mondial
Année de Création2011-03-16
Principaux MarchésAmérique du Nord, Europe de l'Est, Asie du Sud-Est, Asie de l'Est, Europe de l'Ouest, Moyen Orient, Amérique du Sud, Afrique
Produit Q&A
Q:Ce produit est-il adapté à la déposition par couches atomiques (ALD) à basse température ?
A:
Oui, il a été étudié et évalué en tant que précurseur de silicium en phase liquide pour la déposition par couches atomiques à basse température.
Q:Quels films peuvent être déposés en utilisant ce précurseur ?
A:
Il est adapté au dépôt de films de SiO2, HfO2 ou HfSiOx lorsqu'il est utilisé avec de l'ozone.
Q:Comment le BDEAS réagit-il avec l'humidité ?
A:
Il réagit rapidement avec l'humidité, l'eau et les solvants protiques.
Q:Ce produit respecte-t-il les normes environnementales ?
A:
Oui, il est certifié REACH et répond aux exigences de protection de l'environnement.
Q:Quel est le numéro CAS de ce précurseur ?
A:
Le numéro CAS est 27804-64-4.
Envoyer demande
*A:Shanghai Zhongyida New Materials Co., Ltd
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